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PMV52ENEAR  与  BSS306N H6327  区别

型号 PMV52ENEAR BSS306N H6327
唯样编号 A-PMV52ENEAR-CN A-BSS306N H6327
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 44mΩ
上升时间 - 2.3ns
产品特性 车规 车规
Qg-栅极电荷 - 1.5nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 5S
封装/外壳 SOT23 -
工作温度 -55°C~175°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 3.2A 2.3A
配置 - Single
输入电容 100pF -
长度 - 2.9mm
下降时间 - 1.4ns
高度 - 1.10mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 0.63W 500mW(1/2W)
输出电容 30pF -
典型关闭延迟时间 - 8.3ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - BSS306
Rds On(max)@Id,Vgs 70mΩ@3.2A,10V -
典型接通延迟时间 - 4.4ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
3,000+ :  ¥1.6765
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMV52ENEAR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 N-Channel 0.63W -55°C~175°C ±20V 30V 3.2A 车规

¥1.6765 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.6765
0 当前型号
RSQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.0829 

阶梯数 价格
140: ¥1.0829
500: ¥1.0733
2,275 对比
RSQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6

暂无价格 200 对比
RSQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6

¥5.3794 

阶梯数 价格
1: ¥5.3794
100: ¥3.0502
1,500: ¥1.9338
3,000: ¥1.4407
100 对比
DMN3200U-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 650mW(Ta) ±8V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.2A(Ta)

暂无价格 0 对比
BSS306N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

30V 2.3A 44mΩ 20V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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